何军课题组荣获2016年度北京市科学技术奖三等奖

　　4月26日，北京市委、市政府在北京会议中心隆重举行2016年度北京市科学技术奖励大会。中共中央政治局委员、北京市委书记郭金龙，中共北京市委副书记、市长蔡奇，科技部党组成员、副部长李萌，北京市委常委、副市长阴和俊，北京市委常委、市委教育工委书记林克庆，北京市人大常委会副主任杨艺文，北京市政协副主席闫仲秋，国家科学技术奖励工作办公室主任邹大挺出席大会并为获奖代表颁奖。蔡奇代表市委、市政府在大会上讲话。阴和俊主持大会。 

　　在这次奖励大会上，纳米系统与多级次制造重点实验室何军研究员负责的项目“新型低维硫族半导体材料可控制备及器件应用”荣获三等奖，获奖人员包括：何军、王振兴、江潮、詹雪莹。　　

　　项目“新型低维硫族半导体材料可控制备及器件应用”围绕低维硫族半导体可控制备及器件应用展开研究，取得了一系列在国际上有较大影响力的原创性基础研究成果。在非层状硫族半导体二维化生长方面，从六方晶体到立方晶体结构，从单组分到复杂三组分体系，分别实现了多种晶体结构非层状材料的二维化，极大地拓展了二维材料的研究范围。在低维拓扑晶态绝缘体表面态调控方面，候选人最早提出通过合成低维结构来增强表面态，首次从实验上获得了三种拓扑晶态绝缘体低维结构，并且首次观测到了SnTe、Pb1-xSnxSe及 Pb1-xSnxTe纳米结构中AB振荡、sdH振荡及弱反局域化效应，首次从实验上证实了理论预测。10篇代表性论文被SCI 他引338次。 

　　2016年度，共有180项成果荣获北京市科学技术奖，包括一等奖27项，二等奖60项，三等奖93项。 

项目“新型低维硫族半导体材料可控制备及器件应用”获奖证书 

第一完成人何军研究员获奖证书