中国科学院纳米系统与多级次制造重点实验室第146期学术报告 报告人：王中长(伊比利亚国际纳米科技实验室）
发布时间：2019-09-01
报告题目：材料中缺陷的原子电子结构 (Atomic and Electronic Structure ofDefects in InorganicMaterials)
报 告 人：王中长(伊比利亚国际纳米科技实验室高级研究员)
时 间：2017年10月25日（星期三）上午10:00
地 点：国家纳米科学中心，南楼三层会议室
邀 请 人：刘前 研究员
报告摘要：
无机材料中的表面和界面对其性能影响很大。已有大量研究表明，通过有效改变材料表面和界面，无机材料的诸多性能能得到有效地控制。比如，在半导体工业，退火能够有效改变半导体中的界面，从而改变其接触电阻/势垒。但目前对于这种界面-性能关系的阐述并不明确，特别是在原子层面上。近年来，我们致力于该关系的基础原理阐述，结合原子尺度表面界面表征技术及第一性原理计算方法来研究不同材料体系下的表面界面与性能的依存关系。本报告第一部分主要讲述TiO2表面以及Au/TiO2的接触界面对表面催化的影响。第二部分讲述单晶体Ruddlesden-Popper (RP)中的稀土La掺杂对其电性能的影响机理（从非金属到金属转变）。最后，报告将介绍我们对界面结构中最基础现象晶界和位错的研究成果，其中涵盖：晶界对点缺陷的吸收诱发晶界超结构的形成机制以及超结构对材料性能的影响；单一位错在外部作用下（退火）原子结构和电子性能发生重构，形成有序晶界超结构；位错的基本形貌以及位错种类的计算预测和实验验证。
欢迎感兴趣的老师、同学参加！