中国科学院纳米系统与多级次制造重点实验室第117期学术报告 报告人：孙再成（北京工业大学）

时   间：2015年10月20日（星期二） 

地   点：国家纳米科学中心

报告内容：

近年来，氧空穴对光催化的影响受到广泛的重视。通过在TiO2纳米晶表面引入缺陷，我们发现当缺陷浓度控制在一定范围之内时，缺陷会捕获光生电荷，从而能抑制电荷的重新复合过程。 而当缺陷浓度过高时，缺陷会导致光催化性能的降低。基于这一结果我们缺陷辅助的电荷分离过程，为了详细研究缺陷对光催化性能的影响，我们构建了TiO2纳米棒，并在其表面和本体上引入可控浓度氧空穴，对比研究了本体和表面氧空穴光催化剂性能的影响。进一步我们把这一体系有原来的TiO2体系扩展到具有可见光响应的硫化物体系， 我们合成了具有硫空穴的ZnCdS固溶体，发现其光催化性能也得到了明显的提升。

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