中国科学院纳米系统与多级次制造重点实验室第116期学术报告 报告人：李京波（中科院半导体研究所）

时   间：2015年09月18日（星期五） 下午3：00

地   点：国家纳米科学中心，科研楼三层阶梯教室

报告内容：

以单层过渡金属硫化物(transition metal dichalcogenides)为代表的二维半导体是继石墨烯之后最受关注的新型光电材料，将给未来智能制造、信息技术和新能源等领域带来技术性的革命。二维原子晶体体系丰富多样，结构新颖，并且，当厚度从体材料减少至单层后，它们表现出许多新奇的物理化学性质。在当前的纳米电子学领域，二维材料及其器件的研究已成为最活跃的前沿。我们近期取得的重要研究成果有：（1）首次发现黑磷材料的热导系数具有各项异性（Nature Comm., accepted, 2015）；（2）首次通过应力改变ReSe2二维材料的电子结构、光学性质和磁性性质（Nano Letters, 15, 1660, 2015）；（3）在国际上首次获得大尺寸Co0.16Mo0.84S2双层合金及其场效应研究（ACS Nano, 9, 1257, 2015）；（4）发现硅烯纳米带中的自旋滤波和磁阻效应;（5）发现二维单层MoS2/MoSe2的异质结形成莫氏图案的成因(Nano Lett., 13, 5485, 2013);（6）在ReS2二维材料的研究中,发现单层与体材料电子结构一致(Nature Comm., 5, 3252, 2014);（7）二维MoS2/WS2异质结表现大幅度提高的场效应开关比(Adv. Func. Mater., 24, 7025, 2014)；（8）在超薄二维GaS半导体红外光探测器中发现很高的外部量子效应(Nanoscale, 6, 2582, 2014)，等等。这些重要的物理现象意味着未来新型二维微纳光电器件与相关工艺将会出现新的机遇与挑战。

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